PSMA PTR网络研讨会: 碳化硅功率场效应晶体管（SiC MOSFETs）及其2016应用现状

时间：2016年6月23日 周四 晚11:00（北京时间）
时长：1小时
简介：
碳化硅场效应晶体管（Silicon carbide MOSFETs），于2011年首次商业发布，并很快应用到PV逆变器、DC-DC变频器、工业电源、EV充电器、通信电源等产品。本次研讨会，我们将从现已供应产品、可靠性数据及产品支持如：闸极驱动器和参考设计等方面，讨论碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFETs）的技术成熟程度。会议也将讨论碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFETs）初步应用的价值定位。
 
此次研讨会涉及的主题包括：
1) SiC historical progress and maturity
2) SiC performance relative to Si and GaN switches (very brief comparison)
3) Status of SiC power MOSFETs from 650V to 3.3kV
4) Applications using SiC MOSFETs today
5) Future trends in SiC devices and applications
 
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了解会议更多内容，请点击：SiC Power MOSFETs and Applications Status in 2016