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日博体育在线元器件专委会代表团出访香港参加功率半导体器件与集成电路年会
日期:2015-12-15 11:03
2015功率半导体器件与集成电路年会(ISPSD )于5月10至14日在香港举行,ISPSD系功率半导体领域最顶级学术年会。此届年会共有来自22个国家和地区的功率半导体领域的450余位代表参加。
元器件专委会副主任盛况教授担任此次会议技术委员会主席,副主任张波教授担任副主席,副主任沈征教授为2014年优秀论文颁奖。此次会议元器件专委会成员单位浙江大学、电子科技大学、湖南大学、华中科技大学、南车IGBT事业部(刘国友副主任带队)、上海华虹宏力、杭州矽力杰立、宏微科技共派出了33名教授、专家、工程师参加了此次盛会。
会上电子科技大会陈星弼院士因在高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献获得本届大会颁发的唯一一个“国际功率半导体先驱奖(ISPSD 2015 Pionner Award)”。这也是ISPSD大会在亚太区颁发的首个“先驱奖”。